喇曼光谱研究硅烷体积分数对Si薄膜结构影响

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 技术, 在一定射频功率、衬底温度和气压下, 在普通玻璃衬底上制备了不同硅烷体积分数的Si 薄膜材料。使用喇曼光谱对薄膜材料的结构进行了研究。结果表明, 随着硅烷体积分数的降低, Si 薄膜沉积速率将会逐渐降低。当硅烷体积分数降到2 %时, 喇曼光谱检测到出现对应的晶体Si 的吸收峰, 而最初的非晶吸收峰位逐渐减弱, Si 薄膜的结构实现了由非晶向微晶转变。随着硅烷体积分数进一步..