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成大研发快讯

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本文档由 想不到 分享于2010-03-18 07:35

用乾式蚀刻机,蚀刻至n+-GaN底部接触层.接著,将钛/铝/铂/金依序镀於n+-Al0.2Ga0.8N上接触层与n+-GaN而p+氮化镓之镁原子浓度经由二次离子质谱仪...
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GaN l dent 成大 MOVPE tri avalanche process graded ohm
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氮化 快讯 磊晶 gan 元件 接触层
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