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集成电路制造技术--原理与工艺(7)化学气相
淀积
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7(ChemicalVapor Deposition)微电子工艺(6)—薄膜技术 (CVD)7.1 CVD概述 7.2 CVD工艺原理 7.3 CVD工艺方法 7.4 二氧化硅薄膜的淀积 7.5 氮化
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集成电路工艺之化学气相
淀积
CVD
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集成电路工艺之化学气相淀积CVD
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原子
层淀积
高k介质mim电容性能研究
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lIIIIUlY1969273摘要..3ABSTRACT..4第1章绪论..61.1 MIM电容的研究意义.71.2 MIM电容的性能要求和发展趋势81.3高介电常数材料101.3.1介电常数理论..
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原子
层淀积
二氧化钛叠
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栅介质特性研究
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原子层淀积二氧化钛叠层栅介质特性研究,二氧化钛,纳米二氧化钛,氧化钛,二氧化钛光催化,二氧化钛厂家,二氧化钛光催化原理,二氧化钛供应,食品级二氧化钛,二氧化钛的用途
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微电子工艺基础-化学气相
淀积
(CVD)
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微电子工艺基础66微电子工业基础第第66章章化学气相淀积工艺 化学气相淀积工艺41、化学气相淀积的分类2、熟悉常见的化学气相淀积形成的绝缘材料3、Si3N4薄膜的作用和淀积机理4、多晶硅薄膜的作用和淀
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聚焦离子束FIB
淀积
Pt薄膜技术研究
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复旦大学硕士学位论文聚焦离子束(FIB)淀积Pt薄膜技术研究姓名:刘立建申请学位级别:硕士专业:材料物理与化学指导教师:王家楫2001.5.29复旦大学学位论文论文题目:聚焦离子束(FIB)淀积Pt薄
huangfenwan1986
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薄膜
淀积
技术
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第十二章
淀积
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电信学院微电子教研室半导体制造技术byMichael Quirk JulianSerda电信学院微电子教研室半导体制造技术by Michael Quirk JulianSerda薄膜淀积是芯片加工过程
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二氧化硅薄膜的
淀积
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按掺杂划分:本征SiO2(USG)、PSG、BPSG薄膜;按温度划分:低温工艺(200~500 )和中温工艺(500~750 按淀积方法划分:APCVD-SiO2、LPCVD-SiO2、PECVD-S
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化学气相
淀积
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基本上,集成电路是由数层材质不同的薄膜组成,而使这些薄膜覆盖在硅晶片上的技术,便是所谓的薄膜沉积及薄膜成长技术--薄膜淀积淀积:就是指薄膜材料的沉积和生长等技术,指一种材料以物理方式沉积在晶圆表面上的
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