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快速热处理(Rapid Thermal Processing)。?。RTA :Rapid Thermal Annealing 快速热退火 RTO :Rapid Thermal Oxidation快速热氧化主要 用于生长薄绝缘层 ; RTCVD :Rapid Thermal CVD 主要用于 amorphous silicon,polysilicon tungsten,silicon dioxide,以及 silicon nitride RTN:Rapid Thermal Nitridation 快速热氮化。RTP定义。RTP主要是利用热能,将物体內产生內应力 的一些缺陷加以消除,为了使RTP的升温速度快 且均勻,RTP反应室的周围均为加热器所包围, 然后藉着加热器所释放的輻射,来进行RTP反应 室的加热.当热处理时,这些加热灯管能以每秒 1000C以上的升溫速度,在数秒內,将RTP反应室 內的晶片加热到工艺所需的溫度.待热处理阶 段完毕后(約数十秒),RTP反应室再从高溫降 为原来的溫度.。RTP的核心技术。1.热源与腔(chamber)的设计 ; 2 温度的测量 ; 3. 温度控制 快速热处理过程中两个最为关键的要点是:。(1)精确的温度测量与控制; (2)温度的均匀分布。RTA主要应用。?。Δ 离子注入退火:离子注入杂质电激活率高, 彻底消除注入损伤; Δ 高浓度浅PN结制造; Δ 自对准难熔金属硅化物现成(SALICIDE); Δ 磷硅或硼磷硅玻璃回流(REFLOW); Δ 薄氧化层快速氮化(RTN); Δ 半导体片热消除。。Schematic/。示意性的。of RTP Chamber。Tungsten-Halogen/W卤。温度与时间关系 1气体稳定阶段 2升温阶段 3热处理阶段 4降温阶段。热源与腔的设计。?。AG 4100 RTP结构。炉腔的型式。?。温度的测量
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苏尔寿RTA型主机功率的估算 近年来苏尔寿RTA型船用主机与MAN/B&W主机在功率的计算上,与以前生产的主机有很大的差别。以前在测示功图时,高压油泵附近都有一个示功图传动装置,该装置与汽缸同步运行。

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