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基于Silvaco铝栅NMOS仿真.doc
基于Silvaco铝栅NMOS仿真
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基于SILVACO模拟的开关VDMOS设计与制造.pdf
针对国内外对MOS器件及功率器件的需求，以及vDMOS(即纵向双扩散MOS场效应晶体管，Vertieal一Double一Di恤sedMOSFET的缩写)优良的开关特性，本文使用sIL\/ACO模拟软件，模拟出低压条件下开关特性较好的VDMOS器件，同时得到其参数特性。功率VDMOS器件是当前热门的一项研究，本论文用sILVACO模拟VDMOS的工艺流程，如外延层材料的种类、厚度;光刻的图形区域;氧化层的厚度;注入条件、掺杂种类、掺杂剂量;刻蚀深度、范围等等，进而通过模拟器件的参数、电性能参数获得其特性曲线。通过以上的模拟，得出我们设计的VDMOS的性能是否符合要求。本文用sIU/ACO软件模拟的ATHENA模块模拟VDMOS工艺制作过程，并用ATLAS模块提取特性曲线，在生产单位实验流片，得出样片。具体设计方案为设计击穿电压为looV，采用方形元胞图形，面积为17娜X17卿，导通电阻为0.20的n型功率vnMOS。关键词:击穿电压vDMOS功率场效应晶体管特征导通电阻模拟
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基于SILVACO模拟的开关VDMOS设计与制造.pdf
基于SILVACO模拟的开关VDMOS设计与制造基于SILVACO模拟的开关VDMOS设计与制造基于SILVACO模拟的开关VDMOS设计与制造
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基于silvaco tcad的4h-sic功率bjt器件仿真.pdf
20108850060基于SilvacoTCAD的4H-SiC功率BJT器件仿真[摘要] 碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料的代表,由于具有宽禁带、高击穿电场、高热导率等优异特性,使其在高温、大功率
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基于SILVACO_TCAD氧化仿真程序设计方法研究.docx
1000度干法氧化 实际氧化 1100度干法氧化 基于 ILVACO-TCAD 氧化仿真程序设计方法研究 常熟理工学院物理与电子科学系 要］本文分析了SILVACO-TCAD 中不同氧化模型的特点，分
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基于SILVACO_TCAD氧化仿真程序设计方法研究.pdf
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基于silvaco tcad的1000v 60anpt结构igbt的设计与仿真.pdf
I基于SilvacoTCAD的1000V 60ANPT结构IGBT的设计与仿真摘 要近年来，国防工业与国民经济各个领域对于电能处理和变换的要求不断提高，并且还要满足节能和新能源开发的需要，功率半导体器
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微电子-基于SILVACO的MOSFET的击穿电压的提取.doc
题目：MOSFET的击穿特性的研究 学院（系） 理学院 年级专业： 08 电子信息科学与技术 080108040003学生姓名： 教师职称：讲师 理学院基层教学单位： 08 电子信息科学与技术 080
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基于silvaco tcad的高压soi ldmos器件设计-开题报告.doc
基于silvaco tcad的高压soi ldmos器件设计-开题报告
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(毕业论文)基于silvaco tcad的高压soi ldmos器件设计.doc
基于SILVACOTCAD的高压SOI LDMOS器件设计[摘要] SOI LDMOS器件是基于LDMOS器件的一种新型功率半导体。SOI结构具有工艺简单、寄生电容小、抗辐照能力强、集成密度高等优点，
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