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气压浸渗法制备alsicp电子封装材料的研究.pdf
气压浸渗法制备alsicp电子封装材料的研究,浸渍法制备催化剂,固体废物浸出液的制备,浸出制剂的制备,浸渍法制备陶瓷基片,浸提法制备山楂浸膏,刺五加浸膏的制备,电渗析制备高纯水,甘草流浸膏的制备,反渗透膜制备豆丁
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无压浸渗制备alsicp电子封装材料的结构与性能.pdf
无压浸渗制备alsicp电子封装材料的结构与性能,浸渍法制备催化剂,固体废物浸出液的制备,浸出制剂的制备,浸提法制备山楂浸膏,刺五加浸膏的制备,电渗析制备高纯水,甘草流浸膏的制备,反渗透膜制备豆丁,当归浸膏片的制备
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[材料科学]气压浸渗法制备AlSiCp电子封装材料的研究.pdf
[材料科学]气压浸渗法制备AlSiCp电子封装材料的研究

    本文由skryum7470贡献     本文由472521904贡献     pdf文档可能在wap端浏览体验不佳。建议您优先选择txt,或下载源文件到本机 查看。     西北工业大学 硕士学位论文 气压浸渗法制备al/sicp电子封装材料的研究 姓名 :闫庆 申请学位级别:硕士 专业:材料加工工程 指导教师:于家康 20060301     摘要     摘     要     铝渗碳化硅复合材料具有高导热、低膨胀、高模量、低密度等优异的综合 性能 ,在电子封装领域具有广阔的应用前景。气压浸渗法利用气压实现浸渗, 是一种低成 本制备方法。但是目前对影响此工艺过程的因素和材料的凝固组织 都缺乏深入研究。  本文通过浸渗热力学理论的毛细管原理计算了浸渗临界压力。单尺寸颗粒 的尺寸以 及双尺寸颗粒中小颗粒的密集程度对临界压力影响很大。另外预制型 预热温度也对临 界压力有较大影响,在温度从700℃增加到800℃过程中临界压 力随着温度上升 而明显下降。 高体积分数增强体的加入导致了基体合金组织的改变,初生旺一al枝 晶大 大减少,基体主要由a1.si共晶组成。单尺寸颗粒的尺寸决定了共晶硅的大 小和 形态
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硕士论文-AlSiCP复合材料磨损表面分形及小波分析.pdf
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气压浸渗法制备ALSICP电子封装材料的研究.pdf
气压浸渗法制备ALSICP电子封装材料的研究
(专业)材料加工工程。声明:知识水坝论文均为可编辑的文本格式PDF,请放心下载使用。需要DOC格式请发豆丁站内信。
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无压浸渗制备ALSICP电子封装材料的结构与性能.pdf
无压浸渗制备ALSICP电子封装材料的结构与性能
(专业)材料学。声明:知识水坝论文均为可编辑的文本格式PDF,请放心下载使用。需要DOC格式请发豆丁站内信。
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A hybrid approach for multi-response optimization of non-conventional machining on AlSiCp MMC.pdf
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气压浸渗法制备AlSiCp电子封装材料的研究(可编辑).doc
气压浸渗法制备AlSiCp电子封装材料的研究(可编辑),浸渗设备,大气压,标准大气压,系统封装,气压计,系统封装工具,qfn封装,bga封装,一个大气压

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