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本文由skryum7470贡献 本文由472521904贡献 pdf文档可能在wap端浏览体验不佳。建议您优先选择txt,或下载源文件到本机 查看。 西北工业大学 硕士学位论文 气压浸渗法制备al/sicp电子封装材料的研究 姓名 :闫庆 申请学位级别:硕士 专业:材料加工工程 指导教师:于家康 20060301 摘要 摘 要 铝渗碳化硅复合材料具有高导热、低膨胀、高模量、低密度等优异的综合 性能 ,在电子封装领域具有广阔的应用前景。气压浸渗法利用气压实现浸渗, 是一种低成 本制备方法。但是目前对影响此工艺过程的因素和材料的凝固组织 都缺乏深入研究。 本文通过浸渗热力学理论的毛细管原理计算了浸渗临界压力。单尺寸颗粒 的尺寸以 及双尺寸颗粒中小颗粒的密集程度对临界压力影响很大。另外预制型 预热温度也对临 界压力有较大影响,在温度从700℃增加到800℃过程中临界压 力随着温度上升 而明显下降。 高体积分数增强体的加入导致了基体合金组织的改变,初生旺一al枝 晶大 大减少,基体主要由a1.si共晶组成。单尺寸颗粒的尺寸决定了共晶硅的大 小和 形态
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