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KIA设计生产的MOSFET,具有低内阻,高耐压,快速开关,雪崩能量高等特点,设计和i电流跨度1A-200A,电压跨度30V-120.. >>
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KIA设计生产的MOSFET,具有低内阻,高耐压,快速开关,雪崩能量高等特点,设计和i电流跨度1A-200A,电压跨度30V-1200V,我们可以根据客户的应用领域和应用方案的不同,多MOSFET本身的电性参数做出适当的.. >>

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