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一种采用带-带隧穿热电子注入编程的新型快闪存贮器 A Novel Flash Memory Using Band-to-Band Tunneling In duced Hot Electron Injection to Program

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本文档由 biyanxu2002 分享于2015-05-20 08:47

一种采用带-带隧穿热电子注入编程的新型快闪存贮器 A Novel Flash Memory Using Band-to-Band Tunneling In duced Hot Electron Injection to Program
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幼儿/小学教育  —  教育管理
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A Novel Flash Memory Using Band-to-Band Tunneling In duced Hot
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热电子 存贮器 快闪 band tunneling electron
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