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Improved compositional uniformity of InGaAsP grown by MOCVD through modification of the susceptor temperature profile

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本文档由 zouweiqi1993 分享于2015-11-18 22:01

Improved compositional uniformity of InGaAsP grown by MOCVD through modification of the susceptor temperature profile
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幼儿/小学教育  —  教育管理
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Improved compositional uniformity of InGaAsP grown by MOCVD through modification
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susceptor ingaasp uniformity compositional mocvd temperature
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