作者姓名:董良

本文档由 挣钱 分享于2009-06-01 15:02

率的硅衬底上选择性地生长了多孔硅作为牺牲层,双层Si3N4薄膜的抗酸腐蚀...成品率约为80%,表明了我们开发的该MEMS-IC集成工艺较为成功. 系统地测试了单元器件的电压灵敏度,热响应时间常数,噪声...
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董良 TFT polySiGe 探测器 silicon 多孔 电阻率 thermal infrared films
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polysige 董良 多孔硅 红外探测器 tft 辐射热
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