多晶硅薄膜高温退火特性研究分析

本文档由 wang5945 分享于2009-12-26 08:52

利用原子力显微镜、二次离子质谱分析仪和探针,对多晶硅薄膜的高温退火特性进行了实验研究。研究结果表明,多晶硅薄膜退火时出现的第二次反退火阶段,其物理起因是由于注入杂质在薄膜中的再分布;而在更高退火温度下,多晶硅薄膜会出现晶粒再结晶和再结晶弛豫过程,这些过程都会影响多晶硅薄膜的薄层电阻。
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行业资料  —  能源与动力工程
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多晶硅 薄膜 高温退火 晶粒 温度 电阻 薄层 原子 再结晶 载流子
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多晶硅 薄膜 高温退火 退火 特性 晶粒
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