半导体制造工艺流程简介(电子设计资料)
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Doc-9S51J9;本文是“通信/电子”中“电子设计”的表格模板参考范文。正文共10,968字,word格式文档。内容摘要:氧化硅结,氧化硅性,氧化硅应,氧化硅薄膜的制,氧化装,氧化硅薄膜质,前处,正面蒸,合金,正面蒸铝后QC检,常压,低压,等离子增强,去蜡、清,前处,金扩,背蒸后QC检,背蒸返工处,反应剂分子以扩散方式从气相转移到生长层表面,反应剂分子被生长层吸附,被吸附的反应剂分子在生长层表面完成化学反..
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