奈米薄膜的结构特性与制作
本文档由 天上星 分享于2009-01-08 00:11
半导体磊晶层之量子阱效应,有时我们会重覆长上几层低能隙磊晶层,让它们夹於较高能隙磊晶层间,如图5¸32所示为Si与Ge彼此所形成之多层磊晶层的电镜观测结果¸只要高能隙磊晶层厚度大於电子之穿隧深度(一般约10nm),则各¸¸¸
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