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铟布置於矽(111)表面於

33阅读 2顶 1人收藏 7页scofield98上传 举报/认领 合伙人(招募中) 展开

本文档由 scofield98 分享于2010-12-15 08:32

另一方面,结合ARPES与STM的实验证实In/Si(111)的系统由室温下降至100K时,会因一维电荷密度波(CDW)诱发使其表面结构由(4×1)相转变为(4×'2')或(8×'2')...
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行业资料  —  轻工业/手工业
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布置 111 表面 另一方面 结合 ARPES STM 实验 证实 InSi 系统 室温 下降 100K 电荷 密度 CDW 诱发 使其 结构 转变为 39
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表面 原子 arpes cdw sxrd 一維銦
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