電子工程學系 計畫名稱:晶片系統國家型科技計畫—計畫辦公室運作計畫
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在本計劃年度中,我們成功發展出的一種新穎低溫堆疊式閘極氧化層是由PECVD 二氧化矽/ 氮化矽/N2O電漿之氮氧化矽(PECVD oxide/nitride/N2O-plasma oxynitride)(ONO)此 ...
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