電子工程學系 計畫名稱:晶片系統國家型科技計畫—計畫辦公室運作計畫

本文档由 please365 分享于2010-12-29 10:34

在本計劃年度中,我們成功發展出的一種新穎低溫堆疊式閘極氧化層是由PECVD 二氧化矽/ 氮化矽/N2O電漿之氮氧化矽(PECVD oxide/nitride/N2O-plasma oxynitride)(ONO)此 ...
文档格式:
.doc
文档大小:
457.0K
文档页数:
84
顶 /踩数:
0 0
收藏人数:
0
评论次数:
0
文档热度:
文档分类:
待分类
添加到豆单
文档标签:
计画 工程学系 系统 科技 电子 名称 计画名称 国家 运作 工程
系统标签:
晶片 金氧半 氮化 mbe 磊晶 科技
下载文档
收藏
打印

扫扫二维码,随身浏览文档

手机或平板扫扫即可继续访问

推荐豆丁书房APP  

获取二维码

分享文档

将文档分享至:
分享完整地址
文档地址: 复制
粘贴到BBS或博客
flash地址: 复制

支持嵌入FLASH地址的网站使用

html代码: 复制

默认尺寸450px*300px480px*400px650px*490px

支持嵌入HTML代码的网站使用





82