频道

  • 扫一扫安装书房APP

  • 扫一扫关注微信号

4H Si C n MOSFET 新型反型层迁移率模型

93阅读 5页boss3vpqcs.上传 举报/认领 合伙人(招募中) 展开

本文档由 boss3vpqcs0k 分享于2015-07-14 14:29

4H Si C n MOSFET 新型反型层迁移率模型
文档格式：
.pdf
文档大小：
237.07K
文档页数：
5页
顶 /踩数：
0 /  0
收藏人数：
0
评论次数：
0
文档热度：
文档分类：
幼儿/小学教育  —  教育管理
添加到豆单
文档标签：
4H Si C n MOSFET 新型反型层迁移率模型
系统标签：
反型层 迁移 mosfet 模型 散射 载流子
下载文档
收藏
打印

君，已阅读到文档的结尾了呢~~

立即下载 加入会员，超低价下载
下载文档 加入会员 超低价下载
菜单
全屏
上一页 /3下一页

扫扫二维码，随身浏览文档

手机或平板扫扫即可继续访问

推荐豆丁书房APP  

获取二维码

分享文档

将文档分享至：
分享完整地址
文档地址： 复制
粘贴到BBS或博客
flash地址： 复制

支持嵌入FLASH地址的网站使用

html代码： 复制

默认尺寸450px*300px480px*400px650px*490px

支持嵌入HTML代码的网站使用

分
享
最
近
收
藏82
分享到