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The effects of (NH4)2Sx treatment on n-GaN MOS device with nano-laminated ALD HfAlOx and Ru gate stack

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本文档由 astragalus789 分享于2015-12-10 21:17

The effects of (NH4)2Sx treatment on n-GaN MOS device with nano-laminated ALD HfAlOx and Ru gate stack
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The effects of 40NH4412Sx treatment on n-GaN MOS device with
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gan hfalox laminated ald mos gate
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