MOCVD挑战:镓铟磷-砷化镓体系的生长及其特性

本文档由 呵呵 分享于2011-03-27 02:57

通过在该领域的驱动力之一撰写,金属有机化学气相沉积挑战是全面检讨,包括磷砷化铟镓,磷化铟,磷砷化铟镓,砷化镓,以及电子和光子器件应用的相关材料。 这些III - V族半导体化合物已被用于实现电子,光电,量子器件具有革命性的电信服务。 封底上的图给出了能隙为整个这些III - V族元素的二元,三元,四元组合成分和范围和晶格参数。 通过了解的材料和学习,以控制经济增长的新设备成为可能:前盖显示了世界上第..
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MOCVD 镓铟磷 砷化镓 体系 生长 特性
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mocvd 化镓 gainp 生长 gaas razeghi
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