低磁场条件下Gd5(Si1-xGex)4(x＝0,0.2,0.3)合金磁热效应研究

摘 要： 用高频真空悬浮炉在氩气保护下制备了Gd5(Si1-xGex)4(x＝0,0.2,0.3)系列样品，用直接测量方法测定了在永磁体提供的低磁场（H＝1.3T）条件下样品的磁热效应曲线（ΔTad-T）。结果表明，用元素 Ge 分别替代 Gd5Si4合金中的 Si 原子，不能增强合金的磁热效应，但可在 333～300K 范围改变材料的居里温度，且磁热效应峰值范围变宽。