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insertion of an ultrathin al2o3 interfacial layer for schottky barrier height reduction in ws2 field-effect transistors.nanoscale(2019)

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本文档由 崔亚杰 分享于2019-03-10 17:53

insertion of an ultrathin al2o3 interfacial layer for schottky barrier height reduction in ws2 field-effect transistors.nanoscale(2019)
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论文  —  医学论文
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insertion of an ultrathin al2o3 interfacial layer for schottky barrier
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ultrathin interfacial schottky barrier layer insertion
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