新一代宽带隙SiC衬底材料现状与发展趋势
本文档由 kge1 分享于2011-07-17 11:17
1 SiC衬底材料发展趋势我们知道，衬底材料的品质决定了功率器件的成本及其特性。当前，SiC衬底材料呈现出尺寸不断增大、品质不断提高、价格不断下降的趋势。随着SiC功率半导体器件实用化的研发，SiC衬底材料的需求量也在不断扩大，2006年SiC单晶衬底的市场规模为40亿日元。日本矢野经济研究所预计：使用Si的高压分离器件将被SiC器件所取代，并预测SiC单晶衬底的市场规模2010年达到105亿日元，2015年将达到300亿日元，增大..
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