023PPT7%20单晶硅的热氧化
本文档由 小宝学堂 分享于2009-06-18 21:45
其中:H是亨利法则常数;Co是氧化层外表面氧化物的平衡浓度;Ps是氧化物在 氧化层表面的分压;C*是氧化层内部氧化物的平衡浓度;Pg是内部气体分压. 假设在理想气体状态(PV=kT)下考虑亨利法则,我们能将Cg和Cs以分压方式表 达,如下式......
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