多晶硅太阳电池的氮化硅薄膜性能研究

用等离子体化学气相沉积（PECVD）法，通过改变[SiH4∶N2] / [NH3] 的流量比沉积SiN 薄膜．用椭圆偏振仪、准稳态光电导衰减法希望大家多大哦支持，多多喜欢。