PECVD生长氮化硅介质膜的工艺研究

　PECVD生长氮化硅介质膜的工艺研究对PECVD 生长氮化硅介质膜的工艺条件进行了实验研究,获得了生长氮化硅介质膜的最佳工艺条件,制作出了高质量的氮化硅介质膜。对样品进行了湿法腐蚀和超声实验,在显微镜下观察无膜脱落现象发生。阐述了几种工艺参数对介质膜生长的影响。