低应力PECVD氮化硅薄膜工艺探讨

　低应力PECVD氮化硅薄膜工艺探讨介绍了一种掺氦的等离子增强化学气相淀积(PECVD) 氮化硅薄膜工艺技术, 可调控氮化硅薄膜的应力, 从而在较低的射频功率下生长低应力的氮化硅薄膜。文中对其机理作了初步的探讨。所生长的氮化硅薄膜的折射率和腐蚀速率没有明显变化, 对器件, 尤其是对砷化镓异质结器件几乎没有应力损伤。