ITO薄膜射频磁控溅射法制备及性能研究

：以l0% SnO2和90% In2O3 （ 以质量计）烧结成的ITO 氧化物陶瓷为靶材，采用射频磁控溅射法在玻璃基片成功地制备出光电性能优异的ITO 透明导电薄膜。研究了基片温度和氧分压溅射工艺参数对ITO 薄膜的结构和光电性能的影响。实验结果表明，采用氧化铟锡陶瓷靶射频磁控溅射制备的ITO 薄膜沿（222）晶面生长，薄膜紫外透射光谱的吸收截止边带随着衬底温度和氧分压的升高向短波长方向漂移。