半导体制造工艺流程简介(电子设计资料)
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Doc-9S51J9；本文是“通信/电子”中“电子设计”的表格模板参考范文。正文共10,968字，word格式文档。内容摘要：氧化硅结，氧化硅性，氧化硅应，氧化硅薄膜的制，氧化装，氧化硅薄膜质，前处，正面蒸，合金，正面蒸铝后QC检，常压，低压，等离子增强，去蜡、清，前处，金扩，背蒸后QC检，背蒸返工处，反应剂分子以扩散方式从气相转移到生长层表面，反应剂分子被生长层吸附，被吸附的反应剂分子在生长层表面完成化学反..
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