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第六章金属-氧化物-半导体场效应晶体管

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本文档由 10090 分享于2008-08-07 19:45

在的P型Si<111>衬底上制成一铝栅MOS晶体管。栅氧化层厚度为120nm，表面电荷密度为 .(a) 一沟道MOS晶体管制造在的N型衬底上，栅氧化层厚度为，若，以及计算阈值电压
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晶体管 MOS 电荷 衬底 阈值 电压 平带 电流 电势 习题
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晶体管 embed 半导体场效应 氧化物 沟道 衬底
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