工艺对磁控溅射ZAO薄膜光电特性的影响

在玻璃衬底上用直流磁控溅射的方法镀制ZAO透明导电膜，研究了温度、氧压比、溅射气压、溅射速率等工艺条件对ZAO膜电阻率和可见光透过率等光电特性的影响。实验结果表明，当温度470 ℃、氧氩比0¸5 / 40、溅射气压0¸5 Pa和镀膜速率3¸6 nm/min左右时，可获得薄膜电阻率7¸2×10–4 Ω•cm、可见光透过率85 %以上的最佳光电特性参数。