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芯片制造-半导体工艺制程实用教程

1,200阅读 6顶 83人收藏 41页foshanml上传 举报/认领 展开

本文档由 foshanml 分享于2010-09-05 22:58

2000—5000埃 掩膜氧化,表面钝化 3000—10000埃 场氧化 2,热氧化机制:阶梯式升温方法,900-1000℃之间 a.生长氧化层会经历两个阶段:线性阶段(<1000埃)和抛物线...
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行业资料  —  轻工业/手工业
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钝化
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半导体工艺 教程 芯片 场氧化 膜氧化 阶梯式
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