金属纳米晶非挥发存储器存储特性的模拟

当集成电路生产工艺节点进入50nm 以下，传统浮栅结构的编程擦除速度和数据保持能力已经无法同时满足非挥发存储应用的要求。金属纳米晶存储器具有更高的速度和更好的可靠性，它将成为一种下一代浮栅结构非易失存储器件的有力替代者。因此有必要全面研究影响金属纳米晶非挥发存储器存储特性的因素。本文的研究为金属纳米晶存储器代替传统浮栅结构完善了理论依据。本文从金属浮栅结构电容模型计算、TCAD 软件仿真和数据保持能力建..