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并联应用的功率MOSFET由于各方面的原因会产生电流分配不匀的现象,为减小由于电流分配不匀造成的不良形象,目前人们只能根据经验通过实验来确定有关的电路参数。为改变这种现状,本人针对常用的电路拓扑,用数学方法详细地分析了功率MOSFET管的特性参数和电路参数对静态和动态漏极电流分配不匀状况的影响,推导出了反映漏极电流分配不匀程度和对漏极电流上升速度影响程度的精确计算公式,并通过相关文献的实验验证了理论分析的正确性,为在实际工作中采取措施减小电流分配不匀的影响提供了理论依据。
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功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管,是一种单极型的电压控制器件,不但有自关断能力,而且有驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。
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