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ga掺杂zno透明导电薄膜的制备与特性研究.pdf
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Al掺杂ZnO薄膜的XPS谱及电学性质研究.pdf
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Si掺杂ZnO薄膜的制备及光学性质的研究.pdf
- ZnO是宽禁带II.Ⅶ族半导体材料,带隙宽度约为3.37 eV,具有纤锌矿结构,属六方晶系,化学稳定性较好、材料来源丰富、价格低廉。ZnO的诸多优势决定了这种多功能半导体材料在很多领域有着极为广泛的应用前景。为了满足器件的各种要求,特别是在光电方面的要求,人们试图在ZnO中掺杂各种元素以实现对其光电性能的调制。关于ZnO带隙调节方面,已有许多文献进行了报道。但目前对于通过掺杂实现增大ZnO带隙的报道中,均是对ZnO导带进行调节以达到增大带隙的目的,因为ZnO的价带主要由O 2p态决定,能级较深,目前所熟知的材料中,除了Si02除外,未发现比ZnO的价带能级更深的。通过Si掺杂有可能使得ZnO的价带向低能方向移动,这对于实现具有高注入效率的ZnO基光发射器件具有重要意义。
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稀磁半导体Co掺杂ZnO薄膜的制备与性质研究.pdf
- 深圳大学硕士学位论文稀磁半导体 Co 掺杂 ZnO 薄膜的制备与性质研究 材料物理与化学学院(系、所) 材料学院 教授分类号 TG174.444 学校代码 10590 31密级 公开 20043202
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[101]取向Li掺杂ZnO薄膜光学性能的研究.pdf
- Vol.22, No. 22007 InorganicMaterials Mar., 2007: 1000-324X(2007)02–359-04[101] Li ZnO( 200072)[101]
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Fe掺杂ZnO纳米薄膜的光致发光_英文_.doc
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Sn掺杂ZnO半导体纳米带的制备_结构和性能.pdf
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Cu基Al掺杂ZnO多层薄膜的生长及其性能.docx
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溶胶-凝胶法制备Fe掺杂ZnO基稀磁半导体.pdf
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向豆丁求助:有没有掺杂ZNO?