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场效应管及其基本电路详解.ppt
- 2013年9月20日星期五模拟电子技术 第三章场效应管及其基本电路 结型场效应管的特性曲线一、转移特性曲线 二、输出特性曲线 1. 可变电阻区 2.恒流区 3. 截止区 4.击穿区 2013年9月20
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第七讲共集共基放大电路和场效应管放大电路..ppt
- 根据放大电路的输入、输出信号所接电极的不同，放大电路可分为三种基本组态：共射组态、共集组态和共基组态。C1Rb1ReRLRSuSEC+-C2uo+-C1C2Rb1RCRLRSuSEC+Rb2ReCb-
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- 3 场效应管放大电路及多级放大电路
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21场效应管自给偏压电路 (课件).ppt
- 21场效应管自给偏压电路 (课件):
E4a0231 场效应管放大电路Q点的
设置方法和估算方法
E4a02312 场效应管自给偏压电路
1. 自给偏压共源组态放大电路Q点计算 自给偏压共源组态场效应管放大电路如图02.03.02所示。建立正确的偏压就是建立正确的静态工作点，图示电路中的场效应管应该采用N沟道耗尽型MOSFET。因为栅流等于0，所以UG=0V、US=IDR， UGSQ= -IDQR 。 根据场效应管的转移特性曲线，静态工作点Q应位于第二象限。漏极电流图02.03.02 自给偏压共源放大电路管压降
UDSQ= VDD－IDQ(Rd+R) 2. 自给偏压共源组态放大电路图解分析 对图02.03.02的放大电路可根据下列方程式进行图解QUGSQIDQ图02.03.03 在输入特性曲线上图解 直线方程 uGS =- iDR与输入特性曲线的交点即是工作点Q。 由工作点Q，即可确定UGSQ 和IDQ。 在输出特性曲线上进行图解，取场效应晶体管的输出特性曲线；列出放大电路直流通路输出回路的负载方程式ICQ 由输入特性图解得到的UGSQ
UCEQ做直流负载线；由工作点Q即可得到Q图02.03.04 在输出特性曲线上图解 3. 场效应管放大电路偏置设置规律 场效应管放大电路要处于放大状态，必须有合适的偏置电压。由于场效应管有结型和绝缘栅型二大类，其中又分有增强型和耗尽型，N沟道和P沟道等类型，而结型场效应管只有耗尽型。对于建立放大状态偏压而言，只与沟道类型、增强型还是耗尽型有关。场效应管放大电路的偏置有分压偏置和自给偏压。图02.03.05是分压偏置，增强型和耗尽型管均可采用；自给偏压见图02.03.06，它只能采用耗尽型场效应管。图02.03.05 分压偏置图02.03.06 自给偏压 图02.03.07是N沟道FET的转移特性曲线，图(a)对应耗尽型；图(b)对应增强型。对于图(a)应偏置在负栅区，对于图(b)应偏置在正栅区。N沟道耗尽型FET
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向豆丁求助：有没有电路图纸 tmos场效应?
