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一种铝合金表面黑色陶瓷膜及其制备方法.pdf

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一种具有抗菌性能的黑色陶瓷及其釉料.pdf

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黑色氧化锆陶瓷制备工艺研究.doc

05410224毕业论文 黑色氧化锆陶瓷材料制备工艺研究 周彩楼高级工程师 材料科学与工程系 2009 黑色氧化锆陶瓷材料制备工艺研究Research PreparationTechnology Bl

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黑色氧化铝陶瓷配方和工艺研究.pdf

黑色氧化铝陶瓷配方和工艺研究

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黑色氧化铝陶瓷配方和工艺研究.pdf

中文摘要为了提高黑色氧化铝陶瓷在封装材料上应用的性能，保证良好着色效果的同时，减小材料的介质损耗，降低氧化铝陶瓷的烧结温度，本文对组成为９１ｗｔ％Ａ１２０３为主要组成，着色添加剂为：Ｆｅ２０３、ＣｏＯ

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黑色氧化锆陶瓷刀的研制.docx

黑色氧化锆陶瓷刀的研制黑色氧化锆陶瓷刀的研制黑色氧化锆陶瓷刀的研制

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黑色氧化铝陶瓷封装材料及叠层工艺研究.pdf

概述了电子封装技术和封装材料的发展情况，阐述了黑色Al2O3陶瓷在封装材料中的地位及其应用背景。黑色Al2O3陶瓷作为特种陶瓷封装材料，其密度较一般的金属封装材料小而气密性较塑料封装材料好，在要求电子封装具有高可靠性、气密性及耐热冲击性能的场合，黑色Al2O3陶瓷具有其他种类封装材料不可替代的优点，瓷体呈黑色满足了某些电子产品避光性的要求。和其他陶瓷封装材料相比，黑色Al2O3陶瓷加工技术成熟，制作成本低，具有很大的实用价值。采用超细α-Al2O3、SiO2粉体及适量的过渡金属氧化物如Co2O3、Cr2O3、V2O5、MnO2与TiO2，用固相反应法在1350℃空气中烧结得到了致密的黑色Al2O3陶瓷。研究了多种掺杂剂在黑色Al2O3陶瓷中的作用，对黑色Al2O3陶瓷进行掺杂改性使其使用性能得到优化。结果表明：在黑色Al2O3陶瓷中，SiO2是一种较好的掺杂剂，它不仅可以降低烧结温度，使陶瓷晶粒细小均匀，同时还可以改善材料的电气性能，使之满足用作晶体振荡器件、光电器件及集成电路器件等的基板及避光封装外壳的要求。当w(SiO2)/%=1.5％时，烧结瓷片的密度为3.78 g/cm3,气孔率为0.12％，绝缘电阻率为2.5×1010?•cm,在频率为10 kHz时，测得的相对介电常数εr＝13.68，介电损耗tgδ＝0.0226。在SiO2掺杂的基础上，进一步采用适量的B2O3作助熔剂掺杂，将黑色Al2O3陶瓷的烧成温度降低到1320℃，且B2O3对黑色Al2O3陶瓷作为电子封装材料的使用性能没有造成很大负面影响。当w(B2O3)/%＝2％时，烧结瓷片的密度为3.77 g/cm3,气孔率为0.17％，在频率为10 kHz时，测得相对介电常数εr＝12.05，介电损耗tgδ＝0.0142。CuO具有很强的助熔效果，用CuO掺杂也得到了黑色Al2O3陶瓷，但Cu2+的呈色不太稳定且CuO掺杂对黑色Al2O3陶瓷的电气性能不利。此外，本文对多层陶瓷共烧工艺进行了研究，用流延法制得陶瓷生片，进行机械钻孔，用金属W粉制作导电浆料，金属化布线用厚膜印刷法，金属化后的陶瓷生片四片对准叠层，热压结合，在N2保护的气氛炉中烧结，得到多层陶瓷共烧基板。
关键词：黑色氧化铝陶瓷；陶瓷封装材料；多层共烧陶瓷

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黑色氧化铝陶瓷的低温制备与性能研究 毕业论文.doc

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【氧化铝】黑色氧化铝陶瓷制备与介电性能的研究.pdf

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非均匀沉淀法制备黑色氧化锆陶瓷.pdf

HECH INE CERA ICSO 非均匀沉淀法制备黑色氧化锆陶瓷千粉玲1,2 ，(1．北京科技大学材料学 院，北京 100083；2．清华大学 ，新型陶瓷及精细工 艺国家重 点实验室 ，北京 10

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