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横向热驱动RFMEMS开关研究.pdf
RF MEMS开关在防御和通讯系统的天线、可调滤波器、移相阵列和开关网络
中具有良好的应用前景,与传统的PIN二极管和FET固态开关相比,其具有尺寸
小、隔离度高、插入损耗低、功耗低等优点。横向热驱动MEMS开关具有结构简
单、驱动电压低、工艺中还可以实现同时加工的特点,是目前RF MEMS开关研究
的一个热点。
本文通过分析典型静电驱动RF MEMS开关的静态力学特性和动态力学特性,
得出静电驱动开关存在驱动电压高,工作过程中容易失效等缺点,提出了将热驱动器应用于RF MEMS开关的结构。根据热膨胀原理建立折叠U型梁热驱动器和
V型梁热驱动器结构的一维力学集总模型;分析了RF MEMS开关的电磁模型;根
据MetalMUMPs电镀镍工艺,设计了器件的完整版图。
提出了基于折叠U型梁热驱动器的单刀单掷开关结构和基于V型梁热驱动器
的单刀双掷开关结构,利用IntelliSuit有限元软件对这两种开关进行热-电-机械耦合分析。仿真结果显示,折叠U型梁热驱动单刀单掷开关的驱动电压为1V,V型梁热驱动单刀双掷开关的驱动电压为0.3V。然后,利用Ansoft HFSS电磁仿真软件对开关的电磁特性进行模拟,单刀单掷开关的插入损耗为-0.5dB@5GHz,隔离度为-31dB@5GHz,回波损耗为-17dB@5GHz;单刀双掷开关的插入损耗为-3dB@2GHz,隔离度为-55.3dB@2GHz,回波损耗为-10.2dB@2GHz。
模拟分析结果表明,本文设计的热驱动开关具有很低的驱动电压,电磁性能
良好,达到了预期目标。本项目的研究将为横向热驱动RF MEMS开关的结构设计
和力学分析提供很好的理论基础和模拟结果,并利用相关工艺制作出器件样品,通过下一步的测试实验,为将MEMS开关应用于射频移相阵列或可调滤波器等射频前端电路的研究奠定基础。
关键词:RF MEMS开关,热驱动器,横向接触,共面波导,MetalMUMPs工艺

向豆丁求助:有没有横向研究?