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Influence of the p-type doping on the radiometric performances of MWIR
InAsGaSb
superlattice photodiodes
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Influence of the p-type doping on the radiometric performances of MWIR InAsGaSb superlattice photodiodes
handahua2001
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two-colour mid-infrared absorption in
inasgasb
type ii and broken-gap quantum wells under gated electric field:双色红外吸收
inasgasb
ii型和断缝量子威尔斯门下电场
.pdf
two-colour mid-infrared absorption in inasgasb type ii and broken-gap quantum wells under gated electric field:双色红外吸收inasgasb ii型和断缝量子威尔斯门下电场
luoshixie1983
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四层结构模型下的
inasgasb
超晶格材料能带计算
.pdf
四层结构模型下的inasgasb超晶格材料能带计算
w567wt
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inasgasb
二类超晶格红外探测器的瞬态光伏响应特性
.pdf
报J.Infrared Millim. WavesVol. 34, No. 2April,2015文章编号:1001 -9014(2015)02 -0166 -06 DOI:10. 11972 j.i
w5we67
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High quality mid-wavelength infrared
InAsGaSb
superlattices by exploring the optimum molecular beam epitaxy growth process
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High quality mid-wavelength infrared InAsGaSb superlattices by exploring the optimum molecular beam epitaxy growth process
ff56vby
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study of residual background carriers in midinfrared
inasgasb
superlattices for uncooled detector operation (postprint)
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study of residual background carriers in midinfrared inasgasb superlattices for uncooled detector operation (postprint)
dsdwaaaa7123
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A study of MBE growth-related defects in
InAsGaSb
type-II supperlattices for long wavelength infrared detectors
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A study of MBE growth-related defects in InAsGaSb type-II supperlattices for long wavelength infrared detectors
3371164
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Self-catalyzed growth mechanism of InAs nanowires and growth of
InAsGaSb
heterostructured nanowires on Si substrates英文资料
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yanfangmei1956
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New wet etching solution molar ratio for processing T2SLs
InAsGaSb
nBn MWIR infrared detectors grown on GaSb substrates
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New wet etching solution molar ratio for processing T2SLs InAsGaSb nBn MWIR infrared detectors grown on GaSb substrates
lmmdf
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effects of as(2) versus as(4) on
inasgasb
heterostructures as-for-sb exchange and film stability
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effects of as(2) versus as(4) on inasgasb heterostructures as-for-sb exchange and film stability
ffh42323
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