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设计的用于n型MOSFET的源极/漏极区.doc
（19）中华人民共和国国家知识产权局（12）发明专利申请 （10）申请公布号 CN104037224A （43）申请公布日 2014.09.10 （21）申请号 CN201310231593.8 （2
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使用经掺杂的凸起源极和漏极区的源极和漏极掺杂.doc
（19）中华人民共和国国家知识产权局（12）发明专利申请 （10）申请公布号 CN103824777A （43）申请公布日 2014.05.28 （21）申请号 CN201310572044.7 （2
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包括源极/漏极区的半导体器件.doc
（19）中华人民共和国国家知识产权局（12）发明专利申请 （10）申请公布号 CN111192923A （43）申请公布日 2020.05.22 （21）申请号 CN201910489544.1 （2
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具有非分立的源极区和漏极区的纳米线结构.doc
（19）中华人民共和国国家知识产权局（12）发明专利申请 （10）申请公布号 CN104137237A （43）申请公布日 2014.11.05 （21）申请号 CN201180076434.4 （2
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源极/漏极区的制造方法及含源极/漏极区的半导体结构.doc
源极/漏极区的制造方法及含源极/漏极区的半导体结构源极/漏极区的制造方法及含源极/漏极区的半导体结构源极/漏极区的制造方法及含源极/漏极区的半导体结构
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包括延伸的NLDD源极-漏极区以获得改善的耐久性的MOS晶体管.doc
包括延伸的NLDD源极-漏极区以获得改善的耐久性的MOS晶体管包括延伸的NLDD源极-漏极区以获得改善的耐久性的MOS晶体管包括延伸的NLDD源极-漏极区以获得改善的耐久性的MOS晶体管
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具有外延成长的应力引发源极与漏极区的金氧半导体装置的制造方法.doc
具有外延成长的应力引发源极与漏极区的金氧半导体装置的制造方法具有外延成长的应力引发源极与漏极区的金氧半导体装置的制造方法具有外延成长的应力引发源极与漏极区的金氧半导体装置的制造方法
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使用减少数量间隔件形成以嵌埋半导体材料作为源极/漏极区的半导体设备的方法.doc
使用减少数量间隔件形成以嵌埋半导体材料作为源极/漏极区的半导体设备的方法使用减少数量间隔件形成以嵌埋半导体材料作为源极/漏极区的半导体设备的方法使用减少数量间隔件形成以嵌埋半导体材料作为源极/漏极区的半导体设备的方法
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形成具有提升式源极和漏极区的半导体设备的方法及对应的半导体设备.doc
形成具有提升式源极和漏极区的半导体设备的方法及对应的半导体设备形成具有提升式源极和漏极区的半导体设备的方法及对应的半导体设备形成具有提升式源极和漏极区的半导体设备的方法及对应的半导体设备
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在沟道与漏极区之间包括掺杂区的电子器件及其形成方法.doc
在沟道与漏极区之间包括掺杂区的电子器件及其形成方法在沟道与漏极区之间包括掺杂区的电子器件及其形成方法在沟道与漏极区之间包括掺杂区的电子器件及其形成方法
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