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0.13um铜互连工艺的研究和改善.pdf
- 本文针对先进铜互连技术中存在的一些问题,具体研究了铜化学机械研磨工
艺的特性,提出了几种工艺优化方法,使得产品通过了最终的可靠性验证。全文
得到的结论如下:
1)碟形凹陷(dishing)是铜制程化学机械研磨工艺中不可避免的缺陷;但通过
对化学机械研磨工艺的多次试验及调试;dishing缺陷的程度是可以被改善
的;研究表明,光靠对机械参数的调试,dishing缺陷改善的程度是十分有
限的。考虑到工艺中不仅存在着物理的研磨现象也同时存在着化学反应;因
此,我们通过更改研磨液,同时加上适当的机械参数的调试显著地减少了
dishing缺陷的程度。
2)现今的研磨液大多是由多种化学试剂加上特殊研磨颗粒所配制成的溶液,同时配方是高度保密的;因此,研磨液的表现如何需要通过周密的实验部署来
收集足够多的数据。包括:验证工艺的稳定性、缺陷类型的分析、电性数据
的收集、验证工艺窗口的大小;并最终通过良率及可靠性测试的结果来筛选
出符合标准的研磨液:光靠厂商提供的数据作为选择标准是不足取的。
3)由于研磨液是铜制程化学机械研磨工艺不可缺少的重要组成部分;同时,研
磨液在晶圆生产过程中用量是比较大的;因此,其占工艺开销成本的比重也
很大。这也就意味着如果通过完善严格的评估体系筛选到性能好价钱相对低
廉的研磨液将对集成电路生产商提高晶圆生产良率,降低自身生产成本;进
而为提升公司在行业中的竞争力带来显著效果。随着半导体技术的发展,互连布线所产生的时间延迟将越来越引起重视:同
时,设计上的特殊性以及线宽的不断缩小将对集成电路制造工艺提出更高的要
求;作为表面平坦化的唯一解决方案,铜制程化学机械研磨工艺必将会得到更多
的关注及不断的提高。
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013um铜互连工艺的研究和改善.pdf
- 013um铜互连工艺的研究和改善
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铜互连工艺缺陷模式及其对集成电路良率的影响.pdf
- IIIIII 111Y1972782本论文首先简单介绍实现铜互连的双镶嵌工艺(DualDamascene)。因为铜互连采用镶嵌工艺,与传统铝互连工艺完全不同,所以铜互连工艺的缺陷模式也完全不同,其对良
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集成电路铜互连工艺中先进扩散阻挡层的研究(博士论文).pdf
- 随着集成电路器件尺寸的持续缩小,互连延迟越来越成为制约集成电路发展的瓶颈问题。在32nm及以下技术节点,互连工艺中磁控溅射制备的Ta/TaN双层结构扩散阻挡层和铜籽晶层由于台阶覆盖特性不好将带来各种问题。为了降低互连线的电阻,必须在保证器件性能的同时,减小扩散阻挡层和籽晶层的厚度,而且两者必须在高深宽比结构中有非常好的台阶覆盖特性,因此迫切需要研究新型扩散阻挡层/黏附层材料和新型互连工艺,这是半导体发展路线图中提出的一个非常重要的挑战。采用新型扩散阻挡层/黏附层材料和新型淀积工艺有许多问题需要研究,包括新型扩散阻挡层和铜以及低介电常数介质之间的界面反应、新型原子层淀积(Atomic Layer Deposition,ALD)的工艺、ALD薄膜生长机理、表面化学、材料的物理性能和电学性能之间的关系等。对这些问题的研究不仅有科学价值,对未来的阻挡层发展方向提出的一些解决方案也有应用价值。 基于以上问题本文围绕Cu互连扩散阻挡层“新材料”和“新工艺”两个主题,分成三个部分加以阐述: 1:新型阻挡层材料W碳化物的研究 实验比较了相同厚度的Ta/TaN双层结构和Ta或TaN单层结构扩散阻挡层性能,分析了Ta/TaN双层结构优越稳定性的原因,提出了Ta/TaN双层薄膜的微结构演变过程以及其阻挡层的失效机理。
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博士学位论文开题报告-大规模集成电路的发展以及铜互连工艺的概述.pdf
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铜互连技术的扩散阻挡层工艺研究.pdf
- 王奇峰指导教师:李炳宗教授李鹤鸣/王继明商工完成日期: 2005年11月10日铜互连技术的扩敝阻挡层工艺研究 王奇峰 董盟大学研究生院摘要集成电路发展,要求不断提齑集成度和速度,茭途径为器件微夺型化。
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空气污染源对铜互连中电镀铜模拟工艺影响.pdf
- 後旦大学硕士学位论文《专业学彼)Y』9S3719学校代码学哮10246043021170空气污染源瓣麓熏遘中奄镀锯模拟工艺的影响院 复旦人学"f究生院AbstractTheStudiesontheim
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ULSI中铜互连线技术的关键工艺.pdf
- 收稿日期:2000206221; 定稿日期: 2000208211基金项目: 国家自然科学基金重点项目(69936020)第 31 icroelectronicsVol131, 2Apr12001文
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向豆丁求助:有没有铜互连工艺?