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第12章 光刻:掩膜,光刻胶和光刻机
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第八章第八章 光刻 光刻 光刻:图形由光刻版转移到光刻胶上!光刻:图形由光刻版转移到光刻胶上! 光刻次数和光刻版个数表征了工艺的难易光刻次数和光刻版个数表征了工艺的难易 决定了特征尺寸决定了特征尺寸
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半导体光刻胶行业研究:光刻胶国产替代迎来良机
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Doc-940AEB;本文是“高等教育”中“大学课件”的教学资料的论文参考范文或相关资料文档。正文共33,160字,word格式文档。内容摘要:第二种中,在曝光和未曝光膜区之间产生了抗等离子刻蚀能力差异26,第一,抗蚀剂中光强的周期性变化使得抗蚀剂整层厚度接受能量的剂量不均匀(图22a,将涂光刻胶的表面的特性,包括,用刻蚀工艺,图形特征尺寸,设备要求,生态和处理考虑。
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北京工业大学硕士学位论文脉冲激光曝光SU-8光刻胶的基础与光刻技术研究姓名:宋海英申请学位级别:硕士专业:光学指导教师:刘世炳20080501摘要摘要准LIGA技术由于其成本低、加工过程简便而倍受微加
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第十一章光刻光刻:Photolithography 光刻是一种图象复印的技术,是集成电路制程中一项关键的工艺技术。在整个工艺流程中,光刻的步骤占到50%以上,其成本占总制造成本的1/3以上。 光刻步骤
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光刻光刻胶.pdf
光刻与光刻胶

向豆丁求助:有没有光刻胶和光刻机?

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