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而存在于4H．SiC MESFET的表面陷阱会引起电流的不稳定性。具有较好的击穿特
性会使其更广泛地应用于高压领域。
为了屏蔽表面陷阱并提高击穿电压，本文设计并研究了三种不同的碳化硅
MESFET新结构，通过仿真工具ISE TCAD对各种新型器件结构进行仿真与讨论。
首先建立了埋沟．埋栅型MESFET器件结构，对其直流特性、瞬态特性以及交流小
信号特性进行了一系列的模拟和仿真研究，考虑界面态的影响机理，分析了器件
参数的变化对器件特性的改善情况，确定器件参数的最优值并设计了工艺流程和
版图。然后，在埋沟．埋栅型MESFET结构的基础上，为了提高器件的击穿特性，
引入了场板结构。研究了场板长度的变化对器件的直流、交流小信号以及击穿特
性所产生的影响。最后，模拟研究了“双沟道”MESFET结构，并根据模拟仿真
的直流输出特性以及击穿特性，优化了“低沟道”层和“高沟道”层的结构参数。
本文的仿真结果表明，论文所提出的三种4H—SiC MESFET新结构减弱了表面陷阱
效应、提高了交流小信号特性，并改善了器件的击穿特性。
关键词：4H-SiC MESFET，表面陷阱，埋沟-埋栅，场板，双沟道
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