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基于BaTiO3纳米复合薄膜的铁电忆阻器及神经突触仿生研究.pdf
基于BaTiO3纳米复合薄膜的铁电忆阻器及神经突触仿生研究基于BaTiO3纳米复合薄膜的铁电忆阻器及神经突触仿生研究基于BaTiO3纳米复合薄膜的铁电忆阻器及神经突触仿生研究
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钽酸锶铋薄膜的铁电和阻变性能及其多值存储特性.pdf
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HfBi4Ti3O12薄膜的铁电性及其与GaN的集成生长研究.pdf
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[硕博论文][凝聚态物理]铁电薄膜和铁电超晶格的理论研究.pdf
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氟硼酸盐体系电沉积铁镍合金薄膜.pdf
硕Ｉ‘学位论文摘要电沉积铁镍合金镀层具有良好的机械性能、软磁特性、耐腐蚀特性、电学特性和力学特性等，因此在工业领域得到了广泛的应用：并且随着科学技术的进步，许多高科技领域需要的材料朝着轻、薄方向发展，
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透明ZnO薄膜与铁电薄膜的集成研究.pdf
透明ZnO薄膜与铁电薄膜的集成研究透明ZnO薄膜与铁电薄膜的集成研究透明ZnO薄膜与铁电薄膜的集成研究
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掺杂钛酸铋薄膜的铁电与光学性质.pdf
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pb(zr lt;,0.94 gt;ti lt;,0.06 gt;)o lt;,3 gt;薄膜的铁电性及热释电性能的研究.pdf
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PLZT铁电电光薄膜制备工艺研究.pdf
作为电光薄膜材料，锆钛酸铅镧(简称PLZT)凭借其优异的铁电、电光性能，被广泛地应用于光电子学、集成光学等领域。近年来，电光材料的制备、结构、性能和应用已经成为国际上新型材料研究的一个热点。 本文围绕制备性能优异的电光材料，从电光材料的选择、材料配比、靶材制备、射频磁控溅射镀膜设备的研制、电光薄膜材料制作等方面进行了研究。取得了以下主要实验结果： (1)研究发现，成分为PLZT8/65/35的结构和电光性能最好。其最佳工艺条件为：910℃预烧，1100℃烧结并保温6小时；而制备透明导电薄膜SnO2陶瓷靶材的最佳工艺条件为：预烧、烧结温度分别为1100℃和1500℃同时保温6小时。并以此为基础分别制备了致密、均匀、平整、直径为φ212mm的PLZT和φ221mm的SnO2陶瓷溅射靶材； (2)为克服现有磁控溅射设备的不足，提出了一种新的磁控溅射方案，采用方案的设备具有：靶材利用率高、镀膜均匀、成膜速度快等特点； (3)运用AFM、XRD、SEM以及双光路分光光度计等分析手段对PLZT和SnO2薄膜的微结构和性能进行研究，找到了制备PLZT电光薄膜和SnO2透明电极材料的最佳工艺条件。
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BDT铁电薄膜论文:BDT铁电薄膜 NBT-KBT铁电薄膜 畴翻转 力载荷 极化电压.doc
BDT铁电薄膜论文：BDT铁电薄膜NBT-KBT铁电薄膜 畴翻转 力载荷 极化电压【中文摘要】目前,制备非挥发性铁电存储器所用的铁电薄膜材料体系主要还是锆钛酸铅（PZT）系列,这是因为PZT铁电薄膜具
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