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集成电路CU互连工艺中W基扩散阻挡层研究.pdf
- 上海交通大学硕士学位论文集成电路Cu互连工艺中W基扩散阻挡层研究姓名：刘玉章申请学位级别：硕士专业：材料学指导教师：毛大立;常程康20050101插入金属层之后Cu层的集聚现象都得到了抑制且随后淀积的
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集成电路CU互连工艺中的TA基扩散阻挡层研究.pdf
- 集成电路CU互连工艺中的TA基扩散阻挡层研究
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集成电路铜互连工艺中先进扩散阻挡层的研究(博士论文).pdf
- 随着集成电路器件尺寸的持续缩小,互连延迟越来越成为制约集成电路发展的瓶颈问题。在32nm及以下技术节点,互连工艺中磁控溅射制备的Ta/TaN双层结构扩散阻挡层和铜籽晶层由于台阶覆盖特性不好将带来各种问题。为了降低互连线的电阻,必须在保证器件性能的同时,减小扩散阻挡层和籽晶层的厚度,而且两者必须在高深宽比结构中有非常好的台阶覆盖特性,因此迫切需要研究新型扩散阻挡层/黏附层材料和新型互连工艺,这是半导体发展路线图中提出的一个非常重要的挑战。采用新型扩散阻挡层/黏附层材料和新型淀积工艺有许多问题需要研究,包括新型扩散阻挡层和铜以及低介电常数介质之间的界面反应、新型原子层淀积(Atomic Layer Deposition,ALD)的工艺、ALD薄膜生长机理、表面化学、材料的物理性能和电学性能之间的关系等。对这些问题的研究不仅有科学价值,对未来的阻挡层发展方向提出的一些解决方案也有应用价值。 基于以上问题本文围绕Cu互连扩散阻挡层“新材料”和“新工艺”两个主题,分成三个部分加以阐述: 1:新型阻挡层材料W碳化物的研究 实验比较了相同厚度的Ta/TaN双层结构和Ta或TaN单层结构扩散阻挡层性能,分析了Ta/TaN双层结构优越稳定性的原因,提出了Ta/TaN双层薄膜的微结构演变过程以及其阻挡层的失效机理。
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lcd中cof互连工艺及可靠性研究.pdf
- lcd中cof互连工艺及可靠性研究,cof工艺,电子组装工艺可靠性,工艺可靠性,铜互连工艺,lcd工艺流程,lcd生产工艺流程,tft lcd工艺流程,lcd制造工艺,lcd制作工艺
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ULSI中铜互连线技术的关键工艺.pdf
- 收稿日期:2000206221; 定稿日期: 2000208211基金项目: 国家自然科学基金重点项目(69936020)第 31 icroelectronicsVol131, 2Apr12001文
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空气污染源对铜互连中电镀铜模拟工艺影响.pdf
- 後旦大学硕士学位论文《专业学彼）Ｙ』９Ｓ３７１９学校代码学哮１０２４６０４３０２１１７０空气污染源瓣麓熏遘中奄镀锯模拟工艺的影响院 复旦人学＂ｆ究生院ＡｂｓｔｒａｃｔＴｈｅＳｔｕｄｉｅｓｏｎｔｈｅｉｍ
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LCD中细节距COF互连工艺机理及可靠性研究.pdf
- LCD中细节距COF互连工艺机理及可靠性研究
（专业）材料物理与化学。声明：知识水坝论文均为可编辑的文本格式PDF，请放心下载使用。需要DOC格式请发豆丁站内信。
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空气污染源对铜互连中电镀铜模拟工艺的影响.pdf
- 後旦大学硕士学位论文《专业学彼)Y』9S3719学校代码学哮10246043021170空气污染源瓣麓熏遘中奄镀锯模拟工艺的影响院系：专业：姓名：指导教师：完成日期：信息科学与工程学院电子与通信工程边
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空气污染源对铜互连中电镀铜模拟工艺地影响论文.pdf
- 复旦人学＂ｆ究生院ＡｂｓｔｒａｃｔＴｈｅＳｔｕｄｉｅｓｏｎｔｈｅｉｍｐａｃｔｏｆａｉｒｂｏｒｎｅｍｏｌｅｃｕｌａｒｃｏｎｔａｍｉｎａｔｉｏｎｓ（ＡＭｅｓ）ｏｎＩＣｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇｐｒｏｃｅｓ
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001 背景 三维集成封装中的TSV互连工艺研究进展_吴向东.caj.pdf
- 第113期2012年9月收稿日期：2012-06-28三维集成封装中的TSV互连工艺研究进展吴向东（中国电子科技集团公司第43研究所，合肥230088）摘 要：为顺应摩尔定律的增长趋势，芯片技术已来到
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向豆丁求助：有没有互连工艺中?
