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薄膜淀积技术
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聚焦离子束FIB
淀积
Pt
薄膜技术
研究
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复旦大学硕士学位论文聚焦离子束(FIB)淀积Pt薄膜技术研究姓名:刘立建申请学位级别:硕士专业:材料物理与化学指导教师:王家楫2001.5.29复旦大学学位论文论文题目:聚焦离子束(FIB)淀积Pt薄
huangfenwan1986
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薄膜
电池超声喷涂
技术
代替化学气相
淀积
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薄膜电池超声喷涂技术代替化学气相淀积薄膜电池超声喷涂技术代替化学气相淀积薄膜电池超声喷涂技术代替化学气相淀积
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弗朗恩霍夫微加工
技术
研究所开姆尼斯微器件研究部-
薄膜淀积
和刻蚀速率-
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FraunhoferIZM Dept. icroDevices EquipmentReichenhainer Strae 88 09126 Chemnitz Germany 德国电话:(+)49 37
red
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半导体工艺
薄膜淀积
与外延
技术
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ChinaDr. Daoli Zhang Office: Room 409 West Building Tel:87542894 Email: zhang-daoli@163.com 微电子工艺学Mi
phikitiox
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第六章
薄膜淀积
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第六章薄膜淀积概述:薄膜淀积是芯片加工过程中一个至关重要的工艺步骤,通过淀积工艺可以在硅片上生长导各种导电薄膜层和绝缘薄膜层。CMOS晶体管的各层膜p+silicon substratep-epi l
567721
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二氧化硅
薄膜
的
淀积
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按掺杂划分:本征SiO2(USG)、PSG、BPSG薄膜;按温度划分:低温工艺(200~500 )和中温工艺(500~750 按淀积方法划分:APCVD-SiO2、LPCVD-SiO2、PECVD-S
piyongkai1941
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薄膜淀积
(半导体器件物理)
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mimihahaha
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多用途LPCVD_PECVD
薄膜淀积
设备的试制与其
薄膜
性能的研究
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是一篇介绍多用途LPCVD_PECVD薄膜淀积设备的试制与其薄膜性能的研究的文章,值得相关行业人员学习借鉴。
wang5945
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