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18V ADC with Serial LVDS Outputs:18V的ADC与串行LVDS输出.pdf
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击穿18V的高压LDDPMOS器件的研制.doc
中国科学院微电子研究所, 北京 100029) SynopsysTCAD 的软件模拟出发, 基于 0.8μm 标准 CMOS 工艺, 通过重新设计高压 LDD区域注入剂量, 成功研制了栅长 0.8μm
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0.5μm 18v高压cdmos工艺开发与优化.pdf
摘要摘要随着电力电子技术的飞速发展，功率ｊ仁导体器件逐渐成为电力电子技术发展的核心元件而被广泛应用于工业生产和日常的生活消费过程中。功率半导体器件包括功率二极管、双极型功率晶体管、晶闸管、结型场效应器
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