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4HSiC+MPS二极管
反向恢复特性
的仿真研究
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4HSiC+MPS二极管反向恢复特性的仿真研究 ...
tianya256
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传统MOSFET和超结MOSFET的体二级管
反向恢复特性
评估
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电力电子 2006年第4期12研究与应用传统MOSFET和超结MOSFET的体二级管反向恢复特性评估 P.舍诺依 S.舍科哈瓦特 B.勃劳克威(飞兆半导体公司 芒谭陶浦 美国 PA18707)2006
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高压直流输电换流阀用晶闸管
反向恢复特性
研究
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反向恢复特性
的超结功率器件终端结构
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反向恢复特性
的超结MOSFET器件
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反向恢复特性
好的RC-IGBT芯片及其制造方法
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反向恢复特性
测试仪
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具有软
反向恢复特性
的SJMOS结构及其制造方法
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具有快速
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的功率半导体器件及其制作方法
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用于测试晶闸管级
反向恢复特性
的工频冲击合成试验回路
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