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Xie Meng xian nbsp 电子科大,成都市
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nbsp nbsp nbsp nbsp nbsp nbsp nbsp (1)Si SiO2界面的结构:
关于Si SiO2界面的结构大致有如下的三种模型:
① 混合模型:认为界面附近的过渡层是Si与SiO2的混和状态,其厚度约为3 5nm。
② 过渡层模型:认为过渡层是SiO2连续变化的,厚度约为1~3nm,其中的0 3~0 7nm是SiO2、SiO和Si2O3。
③ 直接接触模型:认为不存在过渡层,而是Si与SiO2直接接触。
当过渡层厚度在几个nm以下时,这三种模型即变成一致了。现在,一般认为第三种模型较为合理,这就是说“在一个原子
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向豆丁求助:有没有和电荷?

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