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68
玻璃
基ZnO
:Al薄膜的射频磁控溅射法制备及其结构和性能表征
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武汉理工大学硕士学位论文玻璃基ZnO:Al薄膜的射频磁控溅射法制备及其结构和性能表征姓名:王鹏申请学位级别:硕士专业:材料物理与化学指导教师:赵青南;赵修建20070501摘要由于铝掺杂氧化锌(Az0
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硅
基ZnO
纳米棒阵列薄膜的表面光伏特性研究
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中国科技论文在线硅基ZnO 纳米棒阵列薄膜的表面光伏特性研究 轩君,刘爱民,桑永昌,张炳烨,刘一婷,刘国强** 作者简介:轩君,(1986-),男,硕士,主要研究方向:无机半导体材料表面光伏特性研究。
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59
硅
基
和CIGS
基ZnO
薄膜生长及CIGS太阳能电池器件的研究 - 南昌大学博士学位论文(下)
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硅基和CIGS基ZnO薄膜生长及CIGS太阳能电池器件的研究 - 南昌大学博士学位论文(下)
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硅
基
和CIGS
基ZnO
薄膜生长及CIGS太阳能电池器件的研究 - 南昌大学博士学位论文(上)
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硅基和CIGS基ZnO薄膜生长及CIGS太阳能电池器件的研究 - 南昌大学博士学位论文(上)
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硅
基ZnO
(MgZnO)薄膜及发光器件
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硅基ZnO(MgZnO)薄膜及发光器件
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Si
基ZnO
一维纳米结构光伏器件制备及光电性能研究
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精品机械自动化论文,研究生和技术人员的天地
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硅
基zno
系薄膜的波长可调的电抽运随机激射及其物理机制
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硅基zno系薄膜的波长可调的电抽运随机激射及其物理机制
ac32315
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[硕博论文][凝聚态物理]MOCVD异质外延硅
基ZnO
和SiC薄膜及其特性研究
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[硕博论文][凝聚态物理]MOCVD异质外延硅基ZnO和SiC薄膜及其特性研究
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83
Si
基ZnO
薄膜的慢正电子研究
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Z赶0是一种ll-磷族直接带隙的宽禁带半导体材辩,在室温下其禁带宽度为
3,36eV,激予束缚熊为60meV,具有寝好麓热稳定性和化学稳定牲。19粥年香
港和闩奉科学家在第23届半导体激光器国际会议上首次报道ZnO微结构的紫外
受激发射。随后,在1997年5月9同出版的Science杂志以“will UV Lasers Beat
氇e Bl豫s?”为题,高度评价了氧化锌在紫於激光器的应用前景,跌两在慰际范黉
内掀起了研究氧化锌的热潮。另外,作为第三代半导体材料,Zno在离效率光
散发设错和其他光学方面也有很好的应用前景,但是材料中的点缺陷是影H向其
光学和电学性质的重要因素,因此准确鉴别和量化材料中的点缺陷就疑褥尤菇
重要。
正电子湮没谱学(positronAnnihil“on Spectroscopy),是一门把核物理和核
技术应用于固体物理和材料科学研究的新技术,还可应用与化学和生物等学科。
阂其无损、灵敏度高等特点,丽在材料微缺陷研究中得到了广泛的应用和越来
越多的霞视。
本论文主要围绕Si‘基znO异质外延薄膜的性质展开研究,利用正rU”r潭没
技术,同时结合X射线衍射分柝,拉曼散射谱j以及光致发光谱等测试手段楣辅
裙减,瓦为补充,英缀采对于Z的零孝料的生长和应用都具有很好的指导作餍。
主要的研究工作和结果如下:
l。扁质缓冲层生长糯0壤i薄膜魏研究
利用X射线衍射(XRD),iF电子湮没谱学(PAs)和光致发光谱(PL)等
方法研究了不同厚度闹质缓冲层生长的ZnO/Si薄膜。通过改变直流溅射时间,
在si树底上溅射一一层不同厚度鲶Zn0缓冲层,嚣剥鹰LP.MOCVD生艮离质量
的zn0薄膜。通过研究发现,没有缓冲层豹Zn0薄膜楚取翔性较菱麓多蕊薄膜,
而随着缓冲层的引入,薄膜的取向性明显变好。慢正电子观测到溥膜内币l乜1r
的捕获缺陷主要是Zn空位(Vz。),并且在靠近薄膜和缓冲层的界匝窄他浓度变
大。然两随羞缓冲瑟的簿度麓增加,薄膜酶结晶蔟量开始下降,缺陲浓度开始
增加以及发光性质丌始变差。可见缓冲层的引入对薄膜质量有显著影响。
另外,我们还比较了Si(100)衬底和Si(11 1)衬底生长的同质缓冲层薄膜,发
现以Sif{00)做衬底,最电子在薄膜内观察到的缺陷也是Zn空位(Vz。),随着缓
关键词:正电予湮没,氧化锌,缺陷
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硅
基ZnO
材料生长与硅
基
GaN交通绿LED老化性能研究
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硅基ZnO材料生长与硅基GaN交通绿LED老化性能研究
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