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六方氮化硼新型胶态成型技术及无压烧结致密化机理研究.pdf
江苏大学硕士学位论文六方氮化硼新型胶态成型技术及无压烧结致密化机理研究姓名:包旭东申请学位级别:硕士专业:材料加工工程指导教师:雷玉成20050607江苏大学硕士学位论文ABSTRACTHexagon
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碳化硅陶瓷的无压烧结及性能研究.pdf
碳化硅陶瓷作为一种具有高强度、高硬度、耐高温、耐腐蚀、耐磨损、抗热震的高性能特种陶瓷材料广泛用于航空航天、电力电子、机械工业、石油化工等许多领域。由于碳化硅原料共价键占80%左右,因此很难在常压下烧结致密,为了使碳化硅陶瓷烧结,常采用反应烧结、热压烧结等方法烧结制品,但是制品的性能也不尽理想。近年随着碳化硅制品烧结理论的发展,微粉性能的提高,烧结助剂的多样化和深入研究,采用无压烧结工艺烧结高性能碳化硅制品的工艺开始发展完善。碳化硅制品无压烧结法,工艺简单、成本低廉,烧结后的制品性能优良,从而成为一种很有发展前途的烧结方法。本文对碳化硅陶瓷的无压烧结工艺进行了研究。主要包括: (1)碳化硅陶瓷的制备工艺,即碳化硅原料、烧结助剂种类的选择及用量,重点研究两种烧结助剂体系对碳化硅陶瓷性能的影响,并通过多组配方体系的实验、对比与优化选定最佳配方;以及成型压力、烧结温度等工艺参数对碳化硅陶瓷性能的影响。 (2)碳化硅陶瓷的物理性能、力学性能和显微结构的测试分析。 (3)碳化硅陶瓷烧结机理及结晶性能的研究,包括SiC陶瓷在烧结过程中所产生的化学变化,结构、含量、成份的变化,及烧结过程中气氛的影响。 通过实验研究发现,碳化硅陶瓷的最佳成型压力为140MPa,最佳保压时间为90s;粘结剂最佳用量为物料总质量的3%;含有C、B4C元素作为烧结助剂的碳化硅陶瓷烧结属于固相烧结,烧结过程主要由扩散机制控制,最佳烧结温度为2150℃;含有Al2O3、K2O、Na2O、MgO等金属氧化物作为烧结助剂的碳化硅陶瓷烧结属于液相烧结,烧结过程主要由界面反应控制,最佳烧结温度为1350℃。实验制备所得碳化硅陶瓷的最大密度为3.16g/cm3(相对密度98.75%),最大抗压强度为550MPa。结果表明:添加适当含量的C+B4C烧结助剂的碳化硅无压烧结工艺简单且易于控制,陶瓷烧结后相比于生坯有30%左右的体积收缩,可以获得致密度较高,力学性能较好的碳化硅特种陶瓷。
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无压烧结碳化硅陶瓷环的生产工艺设计.doc
北方民族大学课程设计报告  系(部、中心) 材料科学与工程学院 同组人员 课程名称 设计题目名称 起止时间  产品简介11.1 碳化硅陶瓷的发展情况 11.1.1 碳化硅行业发展现状 11.2 SiC
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无压烧结碳化硅研究进展.doc
无压烧结碳化硅研究进展研究,进展,研究进展,烧结碳化硅,碳化硅,无压烧结,碳化硅陶瓷,碳化硅价格,碳化硅硬度,碳化硅用途
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无压烧结碳化硅研究进展.pdf
2008.No. 瓷 无压烧结碳化硅研究进展王 静 张玉军 龚红宇(山东大学材料科学与工程学院 济南 250061)摘 要 碳化硅具有良好的高温性能以及化学稳定性,已广泛应用于许多领域。综述了无压烧结
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碳化硅陶瓷的无压烧结技术.doc
V【"lNO1宁夏工程技术 NingaEn~neefingTechnology 2002 Ln2o02文章编号:1671—7244(2002)01—0032—03 碳化硅陶瓷的无压烧结技术 (宁夏新技
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碳化硅陶瓷的无压烧结技术.docx
No.1Ni“野i8 En 舀ne 1kh肿logy Jun.2002 文章编号:l 一7044(22)01—0032一03 碳化硅陶瓷的无压烧结技术 陈宇红,韩风兰, (宁夏新技术应用研究所.宁夏银
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氮化铝无压烧结-陈衍春.ppt
氮化铝陶瓷的无压烧结陈衍春氮化铝陶瓷氮化铝陶瓷是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷。AIN晶体以〔AIN4〕四面体为结构单元共价键化合物,具有纤锌矿型结构,属六方晶系。白色或灰白色,单晶无色透明,常压下
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无压烧结碳化硅技术开发1.doc
铝工业用大型薄壁无压烧结碳化硅管状制品的研究开发1、项目背景随着世界经济的快速发展和材料制备技术的持续进步,无压烧结SiC材料已经进入民用工业,在汽车、冶金、轻工、化工等行业应用呈现扩大趋势,对促进相
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烧结温度对无压烧结碳化硅陶瓷微观结构及性能的影响.pdf
科技创新导报2016NO.03Science TechnologyInnovation Herald工 TechnologyInnovation Herald 54碳化硅是一种共价键化合物,具有耐高温

向豆丁求助:有没有无压烧结?