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晶格匹配氮化镓和氧化锌基外延薄膜衬底材料ScAlMgO4晶体生长研究.pdf
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涉及具有晶格匹配的覆层的高限制因子的III族氮化物边发射激光二极管的方法和器件.pdf
涉及具有晶格匹配的覆层的高限制因子的III族氮化物边发射激光二极管的方法和器件涉及具有晶格匹配的覆层的高限制因子的III族氮化物边发射激光二极管的方法和器件涉及具有晶格匹配的覆层的高限制因子的III族氮化物边发射激光二极管的方法和器件
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基于晶格匹配的化合物掺杂Ge-Sb-Te相变材料和相变存储器.pdf
基于晶格匹配的化合物掺杂Ge-Sb-Te相变材料和相变存储器基于晶格匹配的化合物掺杂Ge-Sb-Te相变材料和相变存储器基于晶格匹配的化合物掺杂Ge-Sb-Te相变材料和相变存储器
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晶格匹配InAlN_GaN HEMTs的电学与热学可靠性研究.pdf
晶格匹配InAlN_GaN HEMTs的电学与热学可靠性研究晶格匹配InAlN_GaN HEMTs的电学与热学可靠性研究晶格匹配InAlN_GaN HEMTs的电学与热学可靠性研究
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近晶格匹配inaln_gan材料结晶质量和电学特性相关性研究.pdf
西安电子科技大学硕士学位论文近晶格匹配ＩｎＡＩＮ／ＧａＮ材料结晶质量和电 学特性相关性研究 作者：王平亚 导师：张金风副教授 学科：微电子学与固体电子学 中国 西安 ２０１２年１月／ｊ Ｓｔｕｄｙ ｃ
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使用晶格匹配氮化铝镓铟电子阻碍层..doc
使用晶格匹配氮化鋁鎵銦電子阻礙層之405-nm 405-nmlaser diodes polarization-matched AlInGaN electron-blocking layers 研究生
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近晶格匹配InAlNGaN材料结晶质量以及电学特性相关性研究.docx
西安电子科技大学硕士学位论文 近晶格匹配InAlN/GaN 材料结晶质量和电学特性相关性研究 姓名：王平亚 申请学位级别：硕士 专业：微电子学与固体电子学 指导教师：张金风 201201 摘要 摘要
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2.3 异质结的晶格匹配.ppt
2.3异质结的晶格匹配 理想异质结要求两种材料的晶格常数应尽量匹配 要尽量可能多的相同原子 Ga Al AlSi ZnGa Ge SeCd SnSb Pb Bi 二元化合物： InP GaAs 衬底材
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近晶格匹配InAlNGaN材料结晶质量和电学特性相关性研究.pdf
摘要摘要随着第三代半导体ＧａＮ基电子材料和器件研究向高频和大功率方向的不断发展，常规ＡＩＧａＮ／ＧａＮ异质结电子材料因晶格失配的产生的一些问题也凸显出来。Ｉｎ组分约１８％的ＩｎＡＩＮ／ＧａＮ材料中，Ｉ
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一种高晶格匹配性的光电集成电路元件及其制作方法.doc
（19）中华人民共和国国家知识产权局（12）发明专利申请 （10）申请公布号 CN1512581A （43）申请公布日 2004.07.14 （21）申请号 CN02159711.1 （22）申请日
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